DDR4 от Samsung на 40% эффективнее DDR3
Компания Samsung, один из лидеров по выпуску компьютерных компонентов, смогла создать модуль оперативной памяти стандарта DDR4, который благодаря технологии Pseudo Open Drain потребляет на 40% меньше электроэнергии, чем существующая сегодня на рынке оперативная память стандарта DDR3.
Пропускная возможность новых модулей в пике достигает 2,13 Гбит/с при питании 1,2 вольта. И в будущем Samsung намерена улучшить свою разработку, достигнув производительности 4 Гбит/с. В сравнении с памятью DDR3, созданной на эквивалентном 30-нм техпроцессе, то ее пиковая скорость будет равна 1,6 Гбит/с при 1,5 вольтах. Samsung уже начинает переговоры с производителями серверов (ведь сервера – идеальный испытательный полигон для обкатки таких комплектующих), но определенно, что подобные энергоэффективные и скоростные модули памяти станут очень кстати в лэптопах и других мобильных девайсах завтрашнего дня. Комплектующие для ПК
# Електроніка, Гаджети