Intel совместно с Micron предлагают

20-нанометровая NAND-память
Intel совместно с Micron предлагают 8-гигабайтный NAND-чип флеш-памяти, создаваемого по 20-нанометровому техпроцессу. Площадь чипа составляет 118 квадратных миллиметров, что дает возможность использовать на 30-40 % меньше полезного пространства по сравнению с существующими 8-гигабайтными NAND-чипами, созданными по 25-нанометровому техпроцессу.

Уменьшение габаритов чипов памяти даст возможность компаниям, что производят смартфоны и планшетные ПК улучшить всевозможные характеристики своих девайсов – использовать более емкую батарею, больший экран, а также установить дополнительные чипы, обеспечивающие дополнительные параметры.

Скорее всего, что массовое производство новой памяти стартует во второй половине 2011 года, тогда же мы увидим и новые 16-гигабайтные модули, используя которые, можно будет создавать 128-гигабайтные SSD - накопители размером меньше чем почтовая марка.


 # Електроніка, Гаджети




Ми використовуємо cookie файли щоб отримати статистику яка допомагає нам покращити сервіс. Продовжуючи користуватися сайтом без зміни налаштувань, ви погоджуєтеся на використання ваших cookie файлів.
Ми використовуємо cookie файли щоб отримати статистику яка допомагає нам покращити сервіс. Продовжуючи користуватися сайтом без зміни налаштувань, ви погоджуєтеся на використання ваших cookie файлів.